温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 330mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 850mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V | |
| 输入电容(Ciss) | 350pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 击穿电压 BVDSS > 60 V
- 漏源导通电阻 RDS(on) ≤ 0.33 Ω(VGS = 10 V 时)
- 最大连续漏极电流 ID = 1.1A
- “绿色”元件,无铅涂层/符合 RoHS 标准
- 通过 AEC - Q101 高可靠性标准认证
应用领域
-直流-直流转换器-汽车用螺线管/继电器驱动器