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BC847BLP-7B
NPN 电流:100mA 电压:45V
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- 描述
- 特性：BVCEO > 45V。 Ic = 100mA高集电极电流。 PD = 1000mW功率耗散。 0.60mm²封装尺寸，比SOT23小13倍。 0.5mm封装高度，减少板外轮廓。 互补PNP类型：BC857BLP。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合JEDEC标准，具有高可靠性
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- BC847BLP-7B
- 商品编号
- C531163
- 商品封装
- DFN-3(1x0.6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.009克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 45V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 直流电流增益(hFE) | 200@2.0mA,5.0V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 100MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 15nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 80mV | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 6V |
商品特性
- 集电极 - 发射极击穿电压（BVCEO）> 45V
- 集电极电流（IC）= 100mA，高集电极电流
- 功耗（PD）= 1000mW
- 封装占位面积为0.60mm²，比SOT23小13倍
- 封装高度为0.5mm，可最大限度降低板外轮廓
- 互补PNP型：BC857BLP
- 完全无铅，完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
- 该器件符合JEDEC标准（如AEC - Q中所引用），具备高可靠性
优惠活动
购买数量
(10000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个10000个/圆盘
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