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DMN62D1SFB-7B
1个N沟道 耐压:60V 电流:410mA
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- 描述
- 这款MOSFET的设计旨在最小化导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN62D1SFB-7B
- 商品编号
- C531164
- 商品封装
- X1-DFN1006-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 410mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 470mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.39nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 80pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，使其成为高效电源管理应用的理想之选。
商品特性
- 占位面积仅 0.6 mm^2 —— 比SOT23小十三倍
- 低导通电阻
- 低栅极阈值电压
- 快速开关速度
- 超小型表面贴装封装
- 栅极ESD保护200V
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑,“绿色”器件
- 该器件符合JEDEC标准(如AEC - Q中所引用),具备高可靠性
应用领域
- 负载开关
- 便携式应用
- 电源管理功能
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