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DMP3098LSD-13
2个P沟道 耐压:30V 电流:4.4A
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- 描述
- 新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(on))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMP3098LSD-13
- 商品编号
- C531177
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.218克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@10V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4nC | |
| 输入电容(Ciss) | 336pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在最小化导通电阻 RDS(on)，同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 双P沟道MOSFET
- 低导通电阻
- 低栅极阈值电压
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出泄漏电流
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
- 通过AEC - Q101标准认证，具备高可靠性
应用领域
- 电源管理功能
- 模拟开关
- 负载开关
- 升压开关