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PSMN4R3-80PS-VB
N沟道；电压：80V；电流：160A；导通电阻：4.8(mΩ)
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- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- PSMN4R3-80PS-VB
- 商品编号
- C52209353
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.22克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 370W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 94nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 6.71nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 348pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 3.25nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 最高结温175°C
- 极低的栅漏电荷(Qgd)可降低通过平台电压(Vplateau)时的功率损耗
- 100%进行栅极电阻(Rg)和非钳位感性开关(UIS)测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
-电源-次级同步整流-DC/DC转换器-电动工具-电机驱动开关-DC/AC逆变器-电池管理
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