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PSMN6R4-30MLD-VB
N沟道；电压：30V；电流：40A；导通电阻：5(mΩ)
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- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- PSMN6R4-30MLD-VB
- 商品编号
- C52209362
- 商品封装
- DFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 26.5nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.545nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 140pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 450pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 无卤
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 直流-直流转换
- 低端开关
- 笔记本电脑
- 游戏
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