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PSMN6R1-25MLD,115-VB
N沟道；电压：20V；电流：58A；导通电阻：5.5(mΩ)
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- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- PSMN6R1-25MLD,115-VB
- 商品编号
- C52209360
- 商品封装
- DFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.56克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 31.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.4nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.45nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 38pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 445pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- 高功率密度DC/DC
- 同步整流
- 嵌入式DC/DC
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