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PSMN2R4-30MLD115-VB
N沟道；电压：30V；电流：70A；导通电阻：2(mΩ)
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- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- PSMN2R4-30MLD115-VB
- 商品编号
- C52209361
- 商品封装
- DFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.56克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 52W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22.5nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 3.05nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 79pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.04nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 符合IEC 61249-2-21定义的无卤要求
- 沟槽第四代功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 开关模式电源
- 个人电脑和服务器
- 电信模块电源
- 电压调节模块(VRM)和负载点电源(POL)
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