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GAN140-650EBEZ-VB
GAN140-650EBEZ-VB
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- GAN140-650EBEZ-VB
- 商品编号
- C52209359
- 商品封装
- DFN-5(8x8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.76克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 160mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 90W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 330pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
- PSMN6R1-25MLD,115-VB
- PSMN2R4-30MLD115-VB
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- BUK7D25-40E,115-VB
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