立创商城logo
购物车0
GAN140-650EBEZ-VB实物图
  • GAN140-650EBEZ-VB商品缩略图
  • GAN140-650EBEZ-VB商品缩略图
  • GAN140-650EBEZ-VB商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

GAN140-650EBEZ-VB

N沟道;电压:650V;电流:20A;导通电阻:160(mΩ)

SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
商品型号
GAN140-650EBEZ-VB
商品编号
C52209359
商品封装
DFN-8(8x8)​
包装方式
编带
商品毛重
0.76克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)-
导通电阻(RDS(on))160mΩ@10V
耗散功率(Pd)90W
阈值电压(Vgs(th))2.5V
栅极电荷量(Qg)60nC
属性参数值
输入电容(Ciss)2.6nF
反向传输电容(Crss)4pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型N沟道
输出电容(Coss)330pF
栅极电压(Vgs)±30V

商品特性

  • 低品质因数 (FOM) Ron × Qq
  • 低输入电容 (Ciss)
  • 降低开关和传导损耗
  • 超低栅极电荷 (Qg)
  • 雪崩能量额定 (UIS)

应用领域

-服务器和电信电源-开关模式电源 (SMPS)-功率因数校正电源 (PFC)-照明-高强度气体放电灯 (HID)-荧光灯镇流器照明

数据手册PDF