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TPSI7633DP-T1-GE3
P沟道增强型MOSFET，适用于反向电池保护、负载开关、电源管理和PWM应用
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- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- TPSI7633DP-T1-GE3
- 商品编号
- C52205251
- 商品封装
- PDFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1365克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 600mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 136nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 9.246nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.18nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.57nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |
应用领域
-反接电池保护-负载开关-电源管理-PWM 应用