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IRLML6402TRPBF-TP实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IRLML6402TRPBF-TP

P沟道MOSFET,适用于负载/电源开关和接口开关,采用先进沟槽技术,具备逻辑电平转换功能,导通电阻低且栅极电荷低,无铅产品

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商品型号
IRLML6402TRPBF-TP
商品编号
C52205420
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.032567克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)-
导通电阻(RDS(on))39mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)1.7W
阈值电压(Vgs(th))700mV
栅极电荷量(Qg)7.8nC
属性参数值
输入电容(Ciss)740pF
反向传输电容(Crss)190pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型P沟道
输出电容(Coss)290pF
栅极电压(Vgs)±12V

商品特性

  • 先进沟槽技术
  • 出色的RDS(ON)和低栅极电荷
  • 符合无铅产品要求

应用领域

  • 负载/电源开关
  • 接口开关
  • 逻辑电平转换

数据手册PDF