温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
TPNX6008NBKR
N沟道MOSFET，支持直接逻辑电平接口，适用于电池供电系统和固态继电器
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- TPNX6008NBKR
- 商品编号
- C52205246
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.8Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.7nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 27pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 18pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
应用领域
- 直接逻辑电平接口:TTL/CMOS
- 驱动器:继电器、螺线管、灯、锤、显示器、存储器、晶体管等
- 电池供电系统
- 固态继电器
相似推荐
其他推荐
- TPSI4100DY-T1-GE3
- TPSI7137DP-T1-GE3
- TPSI7456CDP-T1-GE3
- TPSI7456DDP-T1-GE3
- TPSI7633DP-T1-GE3
- TPSI7635DP-T1-GE3
- TPSIR401DP-T1-GE3
- TPSIR510DP-T1-GE3
- TPSIR512DP-T1-RE3
- TPSIR668DP-T1-RE3
- TPSIR804DP-T1-GE3
- TPSIR846ADP-T1-GE3
- TPSIR846DP-T1-GE3
- TPSIR870ADP-T1-GE3
- TPSIR870DP-T1-GE3
- TPSIR876ADP-T1-GE3
- TPSIR882DP-T1-GE3
- TPSIRS700DP-T1-GE3
- IRLML6402TRPBF-TP