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TPFDMS10C4D2N
N沟道增强型MOSFET，适用于负载开关、高频开关和同步整流
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- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- TPFDMS10C4D2N
- 商品编号
- C52205230
- 商品封装
- PDFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1385克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 180W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 65nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 7.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 260pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.3nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- VDS 100V
- IDS(VGS = 10V 时)130A -RDS(ON)(VGS = 10V 时)\leq 3.6mΩ(典型值)
应用领域
- 负载开关
- 高频开关与同步整流
- 中间 DC/DC 电源中的有源钳位
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