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TPM15030PHW3实物图
  • TPM15030PHW3商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

TPM15030PHW3

P沟道增强型功率MOSFET,适用于反向电池保护、负载开关和电源管理

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商品型号
TPM15030PHW3
商品编号
C52205239
商品封装
TO-263​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)150V
连续漏极电流(Id)-
导通电阻(RDS(on))135mΩ@10V
耗散功率(Pd)120W
阈值电压(Vgs(th))3V
栅极电荷量(Qg)56nC
属性参数值
输入电容(Ciss)2.9nF
反向传输电容(Crss)200pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型P沟道
输出电容(Coss)480pF
栅极电压(Vgs)±20V

应用领域

-反接电池保护-负载开关-电源管理-PWM 应用

数据手册PDF