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TPM30100ND8
N沟道增强型MOSFET，适用于负载开关、高频开关和同步整流
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- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- TPM30100ND8
- 商品编号
- C52205242
- 商品封装
- PDFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.057克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 65W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 55nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 3.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 420pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 490pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 漏源电压(VDS):30V
- 漏极电流(IDS)(栅源电压 VGS = 10V 时):100A
- 导通电阻 RDS(ON)(栅源电压 VGS = 10V 时):≤ 2.5mΩ(典型值)
应用领域
- 负载开关
- 高频开关与同步整流
- 中间直流/直流电源中的有源钳位
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