温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FDN8601-TP
N沟道MOSFET，适用于负载/电源开关、接口开关和电池管理
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- FDN8601-TP
- 商品编号
- C52205089
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0329克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 96mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 650pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 24pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- VDS = 100V,ID = 3.5A
- 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 130mΩ(典型值96mΩ)
- 在VGS = 4.5V时,RDS(ON) < 180mΩ(典型值140mΩ)
应用领域
- 负载/电源开关
- 接口开关
- 超小型便携式设备电池管理
- 逻辑电平转换