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FQB9P25TM-TP
P沟道增强型功率MOSFET，适用于反向电池保护、负载开关和电源管理
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- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- FQB9P25TM-TP
- 商品编号
- C52205224
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.795克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 520mΩ@-10V | |
| 耗散功率(Pd) | 106W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 3.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 180pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 470pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
应用领域
-反接电池保护-负载开关-电源管理-PWM应用