温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DMN2024U-TP
N沟道增强模式功率MOSFET，具备先进沟槽技术，适用于负载开关和PWM应用
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- DMN2024U-TP
- 商品编号
- C52205217
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0309克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 900mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 545pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 103pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±10V |
商品特性
- 20V、5A
- 在VGS = 4.5V时,RDS(ON) < 22mΩ
- 在VGS = 2.5V时,RDS(ON) < 36mΩ
- 先进沟槽技术
- 出色的RDS(ON)和低栅极电荷
- 产品无铅
- 静电放电等级:人体模型2KV
应用领域
- 负载开关
- 脉宽调制应用
- 电源管理