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CSD17579Q3A(XBLW)
CSD17579Q3A(XBLW)
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- 描述
- CSD1757903A 采用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻 (RDS(on))、低栅极电荷，并可在低至 4.5V 的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
- 品牌名称
- XBLW(芯伯乐)
- 商品型号
- CSD17579Q3A(XBLW)
- 商品编号
- C52140566
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.058333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@10V,30A | |
| 耗散功率(Pd) | 37.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 940pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 109pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 131pF |
商品概述
CSD17579Q3A采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V，ID = 35A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 10mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源