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BSC098N10NS5(XBLW)实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

BSC098N10NS5(XBLW)

BSC098N10NS5(XBLW)

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描述
BSC098N10NS5 使用先进的 SGT MOSFET 技术,提供低 RDS(on)、低栅极电荷以及出色的快速开关雪崩特性。该器件经过特别设计,以获得更好的耐用性并且适用。
品牌名称
XBLW(芯伯乐)
商品型号
BSC098N10NS5(XBLW)
商品编号
C52140573
商品封装
DFN-8L(5x6)​
包装方式
编带
商品毛重
0.135333克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)75A
导通电阻(RDS(on))6.4mΩ@10V,20A
耗散功率(Pd)97W
阈值电压(Vgs(th))1.6V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)39.4nC@10V
输入电容(Ciss)1.944nF
反向传输电容(Crss)2.04pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)736pF

数据手册PDF

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