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DMTH43M8LPSQ(XBLW)
DMTH43M8LPSQ(XBLW)
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- 描述
- DMTH43M8LPSQ 使用先进的沟槽技术，提供出色的 RDS(on)、低栅极电荷，并可在低至 4.5V 的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
- 品牌名称
- XBLW(芯伯乐)
- 商品型号
- DMTH43M8LPSQ(XBLW)
- 商品编号
- C52140577
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1375克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 130A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.8mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 64nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.584nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 338pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 410pF |
商品概述
DMTH43M8LPSQ采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 40V,ID = 130A
- RDS(ON) < 3.5mΩ(VGS = 10V)
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源