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AON6236(XBLW)
沟槽 MOS 管，低导通电阻栅极电荷，4.5V 栅压，适用于电池保护开关
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- 描述
- AON6236 使用先进的沟槽技术，提供出色的 R_DS(on)、低栅极电荷，并可在低至 4.5V 的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
- 品牌名称
- XBLW(芯伯乐)
- 商品型号
- AON6236(XBLW)
- 商品编号
- C52140569
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.129667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 19.7nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.509nF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 129pF |
商品概述
AON6236采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 40V,漏极电流ID = 55A
- 当栅源电压VGS = 10V时,导通电阻RDS(ON) < 8.5mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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- BT-JLY-CP100
- 16*14*11cm*0.3mm
- UCC57148AQDBVRQ1
- NVD6824NLT4G-UM
- NVMFD5873NLWFT1G-UM
- SVD5867NLT4G-UM
- NVMFD5877NLWFT1G-UM
- STNRG599ATR
- 0325020.MXF86PH
- FJD-M