温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AON6236(XBLW)
AON6236(XBLW)
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- AON6236 使用先进的沟槽技术，提供出色的 R_DS(on)、低栅极电荷，并可在低至 4.5V 的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
- 品牌名称
- XBLW(芯伯乐)
- 商品型号
- AON6236(XBLW)
- 商品编号
- C52140569
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.129667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V,15A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 19.7nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.509nF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 129pF |
商品概述
AON6236采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 40V，漏极电流ID = 55A
- 当栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) < 8.5mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源