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AONR36368(XBLW)实物图
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AONR36368(XBLW)

AONR36368(XBLW)

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描述
AONR36368 使用先进的沟槽技术,提供优异的导通性能、低栅极电荷,并能在低至 4.5V 的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
品牌名称
XBLW(芯伯乐)
商品型号
AONR36368(XBLW)
商品编号
C52140565
商品封装
DFN-8L(3x3)​
包装方式
编带
商品毛重
0.058333克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)45A
导通电阻(RDS(on))6mΩ@10V,20A
耗散功率(Pd)59W
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)20nC@4.5V
输入电容(Ciss)2.295nF
反向传输电容(Crss)210pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)267pF

商品概述

AONR36368采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

商品特性

  • VDS = 30V,ID = 45A
  • RDS(ON) < 8mΩ @VGS = 10V

应用领域

  • 电池保护
  • 负载开关
  • 不间断电源

数据手册PDF