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AON3419(XBLW)实物图
  • AON3419(XBLW)商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

AON3419(XBLW)

AON3419(XBLW)

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描述
AON3419采用先进的沟槽技术和设计,提供优异的导通电阻(RDs(ON))并且门极电荷低。该器件非常适合高电流负载应用。
品牌名称
XBLW(芯伯乐)
商品型号
AON3419(XBLW)
商品编号
C52140555
商品封装
DFN-8L(3x3)​
包装方式
编带
商品毛重
0.058667克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)32A
导通电阻(RDS(on))10mΩ@10V,15A
耗散功率(Pd)3.57W
阈值电压(Vgs(th))1.95V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)12.5nC@4.5V
输入电容(Ciss)1.345nF
反向传输电容(Crss)158pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)194pF

商品概述

AON3419采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合大电流负载应用。

商品特性

  • 漏源电压VDS = -30V,漏极电流ID = -32A
  • 当栅源电压VGS~~- 10V时,导通电阻RDS(ON) <12mΩ
  • 当栅源电压VGS = -4.5V时,导通电阻RDS(ON) < 18mΩ

应用领域

  • 全桥转换器的高端开关
  • 液晶显示器的DC/DC转换器

数据手册PDF