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CMF10B65D
IGBT TO-220F 650V 10A
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- 描述
- IGBT，TO-220F，，耐压：650V，电流：10A，CissTyp：1400PF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMF10B65D
- 商品编号
- C52118370
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.843克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 10A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 30A | |
| 集电极截止电流(Ices) | 10uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 6.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 1.4nF | |
| 输出电容(Coes) | 45pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 25pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 11ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 108ns | |
| 导通损耗(Eon) | 200uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 210uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 263ns | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
绝缘栅双极型晶体管具备低导通和低开关损耗。该器件专为要求高鲁棒性的电机应用而设计。
商品特性
- 高速度开关
- 高输入阻抗
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电机驱动
- 不间断电源