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CMF65R160SD
N场 TO-220F 650V 25A
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- 描述
- COOLMOS，TO-220F，N场，耐压：650V，电流：25A，10V内阻：0.16Ω，功率：350W，CissTyp：1100PF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMF65R160SD
- 商品编号
- C52118373
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.809克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 160mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 36nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 60pF |
商品概述
65R160SD是一款采用Cmos先进超结技术的功率MOSFET。由此制成的器件兼具快速开关超结MOSFET的所有优点，同时还具备超快且耐用的体二极管。极低的开关、换向和传导损耗与极高的耐用性相结合，使该器件尤其适用于谐振开关应用，可提高其可靠性、效率并减轻重量。
商品特性
- 超快体二极管
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
- 多层外延芯片技术
应用领域
-充电器-电源