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CMB029N10-7
N场 TO-263-7 100V 200A
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- 描述
- MOS管，TO-263-7，N场，耐压：100V，电流：200A，10V内阻：0.0023Ω，功率：400W，CissTyp：14300PF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMB029N10-7
- 商品编号
- C52118366
- 商品封装
- TO-263-7
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.832克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.3mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 400W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 169nC | |
| 输入电容(Ciss) | 14.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 370pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 4.7nF |
商品概述
CMB029N10-7采用先进的SGT技术，可提供出色的RDS(ON)。该技术经过优化，可在最大限度降低导通电阻的同时，保持卓越的开关性能。
商品特性
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-直流电机驱动-不间断电源-高速功率开关