温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SiA415DJ-T1-GE3-VB
P沟道；电压：-30V；电流：-10A；导通电阻：17(mΩ)
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SiA415DJ-T1-GE3-VB
- 商品编号
- C52110103
- 商品封装
- DFN-6(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.27克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 热增强型DFN2X2封装
- 占用面积小
- 低导通电阻
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
- 便携式设备的负载开关、功率放大器开关和电池开关
相似推荐
其他推荐
- SiA456DJ-VB
- SIA922EDJ-T1-GE3-VB
- SiHF640-VB
- SiZ320DT-VB
- SiZ340ADT-T1-GE3-VB
- SQ4284EY-T1_BE3-VB
- SQD15N06-42L_T4GE3-VB
- SQS484CENW-T1_GE3-VB
- SQS484EN-T1_BE3-VB
- SSM6J503NU-VB
- STD35NF3LLT4-VB
- STP19NF20-VB
- STS4DNFS30L-VB
- STS9D8NH3LL-VB
- UPA2751GR-VB
- UPA2755GR-VB
- UPA2810T1L-E1-AY-VB
- ZXMN3A04DN8TA-VB
- ZXMN3A04KTC-VB
- ZXMN3F31DN8TC-VB
- VBA3316SA