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SiA456DJ-VB
N沟道；电压：200V；电流：2.8A；导通电阻：1200(mΩ)
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SiA456DJ-VB
- 商品编号
- C52110104
- 商品封装
- DFN-6(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.27克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.2nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 140pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 53pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 提供卷带包装
- 动态 dV/dt 额定值
- 重复雪崩额定
- 快速开关
- 易于并联
- 驱动要求简单
- 符合 RoHS 标准
- 可提供无卤产品
- DFN 2x2 封装
- N 沟道 MOSFET
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