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SQS484EN-T1_BE3-VB
N沟道；电压：40V；电流：28A；导通电阻：13(mΩ)
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SQS484EN-T1_BE3-VB
- 商品编号
- C52110115
- 商品封装
- DFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 第四代沟槽功率MOSFET
- 针对最低漏源导通电阻（RDS） - 输出电容电荷（Q_OSS）品质因数（FOM）进行优化
- 经过100%重复雪崩能量（R_q）和非钳位电感开关（UIS）测试
- 栅漏电荷（Q_gd）与栅源电荷（Q_gs）之比 < 1，优化开关特性
应用领域
-同步整流-DC/DC转换器-电机驱动开关-电池和负载开关