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VBQF3638
N+N沟道；电压：60V；电流：25A；导通电阻：28(mΩ)
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- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBQF3638
- 商品编号
- C52110134
- 商品封装
- DFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 22W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.1nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 435pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 脉宽调制(PWM)优化
- 100%进行栅极电阻(Rg)和非钳位感性开关(UIS)测试
应用领域
- 系统电源直流-直流(DC/DC)转换
- VBQG1201K
- IPTC019N10NM5-VB
- IPTC014N08NM5-VB
- IPTC011N08NM5-VB
- IPTC017N10NM5LF2-VB
- IPTC017N12NM6-VB
- IPTC026N12NM6-VB
- VBGQTA1101
- IPTC054N15NM5-VB
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- IPTC039N15NM5-VB
- VBGQTA11505
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