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VBGQTA11505实物图
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VBGQTA11505

N沟道;电压:150V;电流:150A;导通电阻:6.2(mΩ)

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商品型号
VBGQTA11505
商品编号
C52110148
商品封装
TOLL-16​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)150V
连续漏极电流(Id)-
导通电阻(RDS(on))6.2mΩ@10V
耗散功率(Pd)375W
阈值电压(Vgs(th))3V
栅极电荷量(Qg)100nC
属性参数值
输入电容(Ciss)5.5nF
反向传输电容(Crss)32pF
工作温度-55℃~+175℃
配置-
类型N沟道
输出电容(Coss)846pF
栅极电压(Vgs)±20V

商品特性

  • 超结沟槽(SGT)技术功率 MOSFET
  • 最高结温 175°C
  • 100%进行栅极电阻(Rg)和非钳位感性开关(UIS)测试
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤

应用领域

-电源-不间断电源-交直流开关电源-照明-同步整流-直流-直流转换器-电机驱动开关-直流-交流逆变器-太阳能微型逆变器-D 类音频放大器

数据手册PDF