- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
VBA3316SD
N+N沟道；电压：30V；电流：6.8/10A；导通电阻：18(mΩ)
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBA3316SD
- 商品编号
- C52110130
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V；30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A；8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15.6mΩ@10V；15.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.9W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V；3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.3nC；7.3nC | |
| 输入电容(Ciss) | 950pF；950pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF；65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 185pF；155pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V；±20V |
商品特性
- 根据 IEC 61249-2-21 定义,无卤
- PWM 优化
- 100% Rq 测试
- 100% UIS 测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
- 笔记本逻辑直流-直流转换
- 低电流直流-直流转换