- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SQ4284EY-T1_BE3-VB
N+N沟道；电压：40V；电流：13A；导通电阻：10(mΩ)
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SQ4284EY-T1_BE3-VB
- 商品编号
- C52110111
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 4.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.9nC | |
| 输入电容(Ciss) | 641pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 73pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 175pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 无卤
- 沟槽功率MOSFET
- 针对高端同步整流器操作进行优化
- 100% Rq测试
- 100% UIS测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 笔记本电脑CPU核心
- 高端开关
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