温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SQS484CENW-T1_GE3-VB
N沟道；电压：40V；电流：28A；导通电阻：13(mΩ)
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SQS484CENW-T1_GE3-VB
- 商品编号
- C52110114
- 商品封装
- DFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 23W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.8nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 155pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 沟槽第四代功率MOSFET
- 针对最低的RDS - Qoss品质因数进行优化
- 100%进行Rq和UIS测试
- Qgd / Qgs比 < 1,优化开关特性
应用领域
- 同步整流
- DC/DC转换器
- 电机驱动开关
- 电池和负载开关