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DMB8515E
DMB8515E
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- 描述
- 耗尽型MOSFET_N-Channel _850V_15Ω_0.2A_TO-263
- 品牌名称
- ARK(方舟微)
- 商品型号
- DMB8515E
- 商品编号
- C52097780
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 850V | |
| 连续漏极电流(Id) | 600mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15Ω@0V | |
| 耗散功率(Pd) | 42W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 393.4pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 20.7pF |
商品特性
- 耗尽模式(常开)
- 增强的静电放电(ESD)能力
- 快速开关速度
- 高击穿电压:850V
- 专有先进平面技术
- 坚固的多晶硅栅单元结构
- 符合RoHS标准
- 可提供无卤产品
应用领域
-音频放大器-启动电路-保护电路-斜坡发生器-电流调节器-有源负载
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