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IRFP150NPBF-MNS实物图
  • IRFP150NPBF-MNS商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IRFP150NPBF-MNS

N沟道 100V 50A

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描述
数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):50A 导通电阻(RDS(on)):36mΩ@10V
品牌名称
minos(迈诺斯)
商品型号
IRFP150NPBF-MNS
商品编号
C51933923
商品封装
TO-247​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)50A
导通电阻(RDS(on))27mΩ@10V
耗散功率(Pd)13W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V;2V
栅极电荷量(Qg)48nC@10V
输入电容(Ciss)2.12nF
反向传输电容(Crss)110pF
类型N沟道
输出电容(Coss)420pF

商品概述

IRFP150NPBF采用先进技术和设计,可提供出色的导通电阻RDS(ON),适用于多种应用场景。

商品特性

  • 漏源电压VDS = 100 V,当栅源电压VGS = 10 V、漏极电流ID = 50 A时,导通电阻Rdson < 36 mΩ(典型值为27 mΩ)
  • 快速开关
  • 100%雪崩测试
  • 改善的dv/dt容限

应用领域

  • 快速开关
  • 扩展的安全工作区
  • 低导通电阻RDSON
  • 易于并联
  • 平面结构

数据手册PDF