温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MP52N20
N沟道 200V 52A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):200V 连续漏极电流(Id):52A 导通电阻(RDS(on)):47mΩ@10V
- 品牌名称
- minos(迈诺斯)
- 商品型号
- MP52N20
- 商品编号
- C51933926
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.834克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 52A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 47mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 104W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 154nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 101pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 355pF |
商品概述
MP52N20是一款采用先进MOSFET技术制造的硅N沟道增强型MOSFET，可降低导通损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。该晶体管适用于开关电源、高速开关及通用应用。
商品特性
- 专有新型平面技术
- 当VGS = 10 V时,RDS(ON)典型值为47 mΩ
- 低栅极电荷,可将开关损耗降至最低
- 快速恢复体二极管
应用领域
- DC-DC转换器
- 用于UPS的DC-AC逆变器
- 开关电源和电机控制