温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MPT052N10S
N沟道 100V 120A
- 描述
- 数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):120A 导通电阻(RDS(on)):4.6mΩ@10V
- 品牌名称
- minos(迈诺斯)
- 商品型号
- MPT052N10S
- 商品编号
- C51933932
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 173.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 80nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.021nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 17pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 637pF |
商品概述
N沟道增强型功率MOSFET采用先进的双沟槽技术制造，可降低导通损耗、提升开关性能并增强雪崩能量。该器件适用于同步整流和高速开关应用。
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 100 V,漏极电流(ID) = 120 A,栅源电压(VGS) = 10 V时,导通电阻(Rds(on)) < 5.2 mΩ(典型值:4.6 mΩ)
- 快速开关
- 低导通电阻
- 低栅极电荷
- 低反向传输电容
- 高雪崩耐量
- 符合RoHS标准的产品
应用领域
- 同步整流
- 高速开关应用