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IRF9640PBF-MNS实物图
  • IRF9640PBF-MNS商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IRF9640PBF-MNS

P沟道 200V 11A

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描述
数量:1个P沟道 漏源电压(Vdss):200V 连续漏极电流(Id):11A 导通电阻(RDS(on)):340mΩ@10V
品牌名称
minos(迈诺斯)
商品型号
IRF9640PBF-MNS
商品编号
C51933927
商品封装
TO-220​
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)11A
导通电阻(RDS(on))340mΩ@10V
阈值电压(Vgs(th))4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)52nC@10V
输入电容(Ciss)1.2nF
反向传输电容(Crss)81pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)370pF

商品概述

IRF9640PBF是采用先进MOSFET技术制造的硅P沟道增强型MOSFET,可降低传导损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。该晶体管适用于开关电源(SMPS)、高速开关及通用应用。

商品特性

  • 快速开关
  • 100%雪崩测试
  • 改善的dv/dt能力

应用领域

-开关电源(SMPS)-不间断电源(UPS)-功率因数校正(PFC)

数据手册PDF