温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MPT04N10P
N沟道 100V 120A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):120A 导通电阻(RDS(on)):3.3mΩ@10V
- 品牌名称
- minos(迈诺斯)
- 商品型号
- MPT04N10P
- 商品编号
- C51933925
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.8387克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 172A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 208W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 114nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 150pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.594nF |
商品概述
MPT04N10P是N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的双沟槽技术，可降低导通损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。该器件适用于电池管理系统（BMS）和大电流开关应用。
商品特性
- VDS = 100 V,VGS = 10 V、ID = 50 A时,Rdson < 4 mΩ(典型值:3.3 mΩ)
- 低导通电阻
- 低栅极电荷
- 低反向传输电容
- 高雪崩耐用性
- 符合RoHS标准的产品
应用领域
- 电池管理系统(BMS)
- 大电流开关应用