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HD503N110D
双N沟道MOSFET
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- 描述
- 特性：VDS = 30V。 ID = 80A。 RDS(on)@VGS = 10V < 5mΩ。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 6mΩ。 沟槽技术功率MOSFET。 低栅极电阻。应用：功率开关应用。 硬开关和高频电路
- 品牌名称
- R+O(宏嘉诚)
- 商品型号
- HD503N110D
- 商品编号
- C51883846
- 商品封装
- PDFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.196667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 36W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.382nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 216pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 1.581nF |
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 30 V
- 漏极电流(ID) = 80 A
- 栅源电压(VGS) = 10 V时,导通电阻(RDS(on)) < 5 mΩ
- 栅源电压(VGS) = 4.5 V时,导通电阻(RDS(on)) < 6 mΩ
- 沟槽技术功率MOSFET
- 低栅极电阻
- 散热性能良好的出色封装
应用领域
- 功率开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源