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HP803N180D
双N沟道MOSFET
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- 描述
- 特性：VDS = 30V。ID = 10A。RDS(on)@VGS = 10V < 15mΩ。RDS(on)@VGS = 4.5V < 20mΩ。低栅极电荷和导通电阻。先进的高单元密度沟槽技术。应用：负载开关。电池保护应用
- 品牌名称
- R+O(宏嘉诚)
- 商品型号
- HP803N180D
- 商品编号
- C51883850
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.129412克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 968pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 130pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 145pF |
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 30 V
- 漏极电流(ID) = 10 A
- 栅源电压(VGS) = 10 V时,导通电阻(RDS(on)) < 15 mΩ
- 栅源电压(VGS) = 4.5 V时,导通电阻(RDS(on)) < 20 mΩ
- 低栅极电荷和导通电阻
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 改善的dv/dt能力,高可靠性
应用领域
- 负载开关
- 电池保护应用
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