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HP803P600D
双P沟道MOSFET
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- 描述
- 特性：VDS = -30V。 ID = -5A。 RDS(on)@VGS = -10V < 60mΩ。 RDS(on)@VGS = -4.5V < 90mΩ。 低栅极电荷和导通电阻。 先进的高单元密度沟槽技术。应用：负载开关。 电池保护应用
- 品牌名称
- R+O(宏嘉诚)
- 商品型号
- HP803P600D
- 商品编号
- C51883851
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.130588克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@10V,4.9A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 625pF@15 | |
| 反向传输电容(Crss) | 58pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 73pF |
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