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HV03P650S
P沟道MOSFET
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- 描述
- 特性：VDS = 30V。 ID = 5.3A。 RDS(on)@VGS = 10V < 49mΩ。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 85mΩ。 雪崩能量测试。 快速开关速度。应用：PWM应用。 负载开关
- 品牌名称
- R+O(宏嘉诚)
- 商品型号
- HV03P650S
- 商品编号
- C51883854
- 商品封装
- SOT-89
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.094271克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 49mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 548pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 58pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 漏源电压(VDS) = -30 V
- 漏极电流(ID) = -5.3 A
- 栅源电压(VGS)为 -10 V 时,导通电阻(RDS(on)) < 49 mΩ
- 栅源电压(VGS)为 -4.5 V 时,导通电阻(RDS(on)) < 85 mΩ
- 经过雪崩能量测试
- 开关速度快
- 改善了 dv/dt 能力,具有高耐用性
应用领域
- 脉冲宽度调制(PWM)应用
- 负载开关
- 电源管理