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HP804C360D
互补N和P沟道MOSFET
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- 描述
- 特性：N MOS:VDS = 40V。ID = 8A。RDS(on)(Q) VGS = 10V < 21mΩ。RDS(on)(Q) VGS = 4.5V < 32mΩ。P MOS:VDS = -40V。ID = -6A。应用：电源开关应用。低电压应用
- 品牌名称
- R+O(宏嘉诚)
- 商品型号
- HP804C360D
- 商品编号
- C51883848
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.135克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 908pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 88pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 121pF；100pF |
商品特性
- N沟道MOS管
- 漏源电压(VDS) = 40 V
- 漏极电流(ID) = 8 A
- 栅源电压(VGS) = 10 V时,导通电阻(RDS(on)) < 21 mΩ
- 栅源电压(VGS) = 4.5 V时,导通电阻(RDS(on)) < 32 mΩ
- P沟道MOS管
- 漏源电压(VDS) = -40 V
- 漏极电流(ID) = -6 A
- 栅源电压(VGS) = -10 V时,导通电阻(RDS(on)) < 36 mΩ
- 栅源电压(VGS) = -4.5 V时,导通电阻(RDS(on)) < 47 mΩ
- 低栅极电荷和导通电阻
- 快速开关速度
- 改善的dv/dt能力,高耐用性
应用领域
- 功率开关应用
- 低电压应用
- DC/DC转换器