- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NVC3S5A51PLZT1G-VB
P沟道；电压：-60V；电流：-5.2A；导通电阻：50(mΩ)
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- NVC3S5A51PLZT1G-VB
- 商品编号
- C51822565
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.054克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 27W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC | |
| 输入电容(Ciss) | 270pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 31pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 170pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 隔离封装
- 高电压隔离 = 2.5 kVRMS(t = 60 s;f = 60 Hz)
- 漏极至引脚爬电距离 = 4.8 mm
- P沟道
- 工作温度175 °C
- 动态dV/dt额定值
- 低热阻
- 有无铅(Pb)版本
- NVGS5120PT1G-VB
- PMN20ENAX-VB
- PMN230ENEAX-VB
- PMN30ENEAX-VB
- PMN37ENEX-VB
- PMN40SNAX-VB
- QS6J3TR-VB
- R6020ENZ1C9-VB
- RQ6L020SPTCR-VB
- RSQ035N06HZGTR-VB
- RVQ040N05HZGTR-VB
- SI2309DS-T1-E3-VB
- SI2392BDS-T1-GE3-VB
- SI3129DV-T1-GE3-VB
- SI3459DV-T1-E3-VB
- SI3476DV-T1-GE3-VB
- SI4534DY-T1-GE3-VB
- SI4559ADY-T1-GE3-VB
- SIHG22N60EF-GE3-VB
- SIL04P06Y-TP-VB
- SP8K52FRATB-VB
- NVGS5120PT1G-VB
- PMN20ENAX-VB
- PMN230ENEAX-VB
- PMN30ENEAX-VB
- PMN37ENEX-VB
- PMN40SNAX-VB
- QS6J3TR-VB
- R6020ENZ1C9-VB
- RQ6L020SPTCR-VB
- RSQ035N06HZGTR-VB
- RVQ040N05HZGTR-VB
- SI2309DS-T1-E3-VB
- SI2392BDS-T1-GE3-VB
- SI3129DV-T1-GE3-VB
- SI3459DV-T1-E3-VB
- SI3476DV-T1-GE3-VB
- SI4534DY-T1-GE3-VB
- SI4559ADY-T1-GE3-VB
- SIHG22N60EF-GE3-VB
- SIL04P06Y-TP-VB
- SP8K52FRATB-VB