QS6J3TR-VB
P+P沟道;电压:-20V;电流:-4A;导通电阻:75(mΩ)
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- QS6J3TR-VB
- 商品编号
- C51822572
- 商品封装
- TSOP-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.052克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 根据IEC 61249-2-21定义,无卤
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行Rq测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 便携式应用的负载开关
- 便携式设备的电池开关
- 计算机
- 总线开关
- 负载开关
- R6020ENZ1C9-VB
- RQ6L020SPTCR-VB
- RSQ035N06HZGTR-VB
- RVQ040N05HZGTR-VB
- SI2309DS-T1-E3-VB
- SI2392BDS-T1-GE3-VB
- SI3129DV-T1-GE3-VB
- SI3459DV-T1-E3-VB
- SI3476DV-T1-GE3-VB
- SI4534DY-T1-GE3-VB
- SI4559ADY-T1-GE3-VB
- SIHG22N60EF-GE3-VB
- SIL04P06Y-TP-VB
- SP8K52FRATB-VB
- SQ2337ES-T1_BE3-VB
- SQ2361AEES-T1_BE3-VB
- SQ3418AEEV-T1_BE3-VB
- SQ3418AEEV-T1_GE3-VB
- SQ3418EV-T1_BE3-VB
- SQ3418EV-T1_GE3-VB
- SQ3426AEEV-T1_BE3-VB
- R6020ENZ1C9-VB
- RQ6L020SPTCR-VB
- RSQ035N06HZGTR-VB
- RVQ040N05HZGTR-VB
- SI2309DS-T1-E3-VB
- SI2392BDS-T1-GE3-VB
- SI3129DV-T1-GE3-VB
- SI3459DV-T1-E3-VB
- SI3476DV-T1-GE3-VB
- SI4534DY-T1-GE3-VB
- SI4559ADY-T1-GE3-VB
- SIHG22N60EF-GE3-VB
- SIL04P06Y-TP-VB
- SP8K52FRATB-VB
- SQ2337ES-T1_BE3-VB
- SQ2361AEES-T1_BE3-VB
- SQ3418AEEV-T1_BE3-VB
- SQ3418AEEV-T1_GE3-VB
- SQ3418EV-T1_BE3-VB
- SQ3418EV-T1_GE3-VB
- SQ3426AEEV-T1_BE3-VB


