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SI4559ADY-T1-GE3-VB
N+P沟道；电压：±60V；电流：5.3/-4.9A；导通电阻：26/55(mΩ)
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- 描述
- 特性：无卤，符合 IEC 61249-2-21 标准。 沟槽功率 MOSFET。 100% 进行 Rg 和 UIE 测试。应用：CCFL 逆变器
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SI4559ADY-T1-GE3-VB
- 商品编号
- C51822584
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.3A；4.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@10V；55mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W；3.4W | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V；14.5nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 665pF；650pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF；60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 95pF；75pF |
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