SP8K52FRATB-VB
N+N沟道;电压:100V;电流:5.8A;导通电阻:63(mΩ)
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- 描述
- 特性:无卤,符合 IEC 61249-2-21 标准。沟槽功率 MOSFET。100% 进行 UIS 测试。应用:高频升压转换器。LCD TV 的 LED 背光
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SP8K52FRATB-VB
- 商品编号
- C51822587
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 63mΩ@10V;84mΩ@6V | |
| 耗散功率(Pd) | 5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13.5nC@10V;9nC@6V | |
| 输入电容(Ciss) | 600pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 90pF |
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